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Microchip宣布推出高壓碳化硅SiC產品
作者: 未名 來源: 汽車制動網 日期: 2019年5月16日

隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升,新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇,助力打造可靠的高壓電子設備
2019年5月16日訊。汽車、工業、太空和國防領域越來越需要能提升系統效率、穩健性和功率密度的SiC功率產品。今日,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)通過其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率器件。該系列器件具有良好的耐用性,以及寬帶隙技術優勢。它們將與Microchip各類單片機和模擬解決方案形成優勢互補,加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合,滿足電動汽車和其他大功率應用領域迅速發展的市場需求。
 

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Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基勢壘二極管(SBD)將加入公司現有的SiC功率模塊產品組合。該組合新增的超過35款分立器件產品均已實現量產,并通過了嚴格的耐用性測試,Microchip可提供全面的開發服務、工具和參考設計支持。Microchip目前提供額定電壓、額定電流和各類封裝的SiC裸片、分立器件和功率模塊。
 
Microchip分立器件和功率產品管理事業部高級副總裁Rich Simoncic說:“SiC技術的演變和應用已開始加速發展,Microchip深耕這一市場多年,一直致力于滿足全球市場對SiC產品日益增長的需求,保持全球領先的位置。我們利用可靠的產品來構建產品組合,并提供強大的基礎架構和供應鏈支持,以滿足客戶執行和調整產品開發計劃的需求。”
 
Microchip的SiC MOSFET和SBD可以更加高頻高效地完成開關操作,并通過各級別的耐用性測試,這對于保障產品的長期可靠性至關重要。感應開關(UIS)耐用性測試(該項測試旨在衡量雪崩情形下,即電壓峰值超過器件的擊穿電壓,器件的退化和過早失效性能)表明,Microchip SiC SBD性能比其他SiC二極管高出20%左右。另外,Microchip的SiC MOSFET在性能方面同樣優于同類產品,其具有良好的柵氧化層防護能力和通道完整性,即使在經歷10萬次重復UIS(RUIS)測試后,其參數仍能維持在正常水平。
 
Microchip是全球僅有的能同時提供硅和SiC分立器件/模塊解決方案的供應商之一。該公司的產品(包括外部充電站、車內充電器、直流-直流變換器和動力系統/牽引力控制解決方案)能很好的滿足電動汽車系統日益增多的需求。新型SiC器件將采用Microchip的客戶為導向的產品淘汰機制,Microchip將根據客戶需求來決定是否繼續生產此類產品。
 
供貨
Microchip將為該SiC產品組合提供一系列支持,例如各類SiC SPICE模塊、SiC驅動板參考設計和一套功率因數校正(PFC)Vienna整流器的參考設計等。Microchip的所有SiC產品及其相關配件均已實現量產。另外,還有針對SiC MOSFET和SiC二極管制定的各種裸片和封裝方案,可供客戶選擇。

(轉載請注明來源: 汽車制動網/chebrake.com 責任編輯:sara)

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